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Mos管的柵極不能浮空，這樣的錯誤你犯了嗎？

文章作者：飛虹半導體 瀏覽量：5544 類型：行業(yè)資訊 日期：2017-11-17 11:19:25 分享：

MOS管經(jīng)常用于電路的開關(guān)控制，通過改變柵極(gate)的電壓來使漏級(drain)和源級(source)導通或截斷。但是mos管的柵極不能浮空你知道嗎？今天半導體廠家—廣州飛虹通過下面的電路圖為大家分析一下為什么不可以浮空的原因～



廣州飛虹MOS管廠家



Vg輸入高時，N管會導通，使得P管的柵極為低，P管的DS導通。


一次發(fā)現(xiàn)奇怪的現(xiàn)象，Vg為高阻態(tài)時，Vout輸入不定，檢查發(fā)現(xiàn)P管的柵極電壓變化不定。仔細檢查發(fā)現(xiàn)R2虛焊，從而導致了N管的柵極浮空，把R2焊好，問題解決。


因此，MOS管的柵極不能浮空。P管應該有一個上拉電阻，對應的，N管應該有一個下拉電阻。只有這樣，MOS管的整個運行才會正常，也不會帶來不必要的麻煩。



廣州飛虹MOS管廠家



廣州飛虹半導體主要研發(fā)、生產(chǎn)、經(jīng)營：場效應管、三極管等半導體器件，專注大功率MOS管制造15年， 咨詢熱線： 400-831-6077。


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