MOS管就是絕緣柵型場效應(yīng)管。在使用過程中，很容易就會發(fā)現(xiàn)，MOS管不僅僅有P溝道與N溝道的區(qū)別。另外還有增強型與耗盡型的區(qū)別，而他們在使用過程所表現(xiàn)的狀態(tài)都完全不一樣。今天，具有35年半導體經(jīng)驗的MOS管廠家“飛虹”這就分享給大家。

首先先區(qū)分一下增強型與耗盡型的區(qū)別。當UGS=0時，漏源極之間沒有導電溝道，UGS增大到開啟電壓時，漏源極之間才開始形成導電溝道，叫做增強型MOS管；當UGS=0時，漏源極之間有原始導電溝道，叫做耗盡型MOS管。

其實所謂的增強還是耗盡，主要是指MOS管內(nèi)的反型層。如果在不通電情況下，反型層不存在，電壓加到一定程度后，反型層才出現(xiàn)，這個就是增強。相反，如果反型層一開始就存在，隨著電壓強弱，反型層會出現(xiàn)增加或者衰減，這個就是耗盡。

增強型MOS管科學的原理是它通過“加厚”導電溝道的厚度來導通，柵極電壓越低，則p型源、漏極的正離子就越靠近中間，n襯底的負離子就越遠離柵極，MOS管廠家柵極電壓達到一個值，叫閥值或坎壓時，由p型游離出來的正離子連在一起，形成通道。

因此，容易理解，柵極電壓必須低到一定程度才能導通，電壓越低，通道越厚，導通電阻越小。由于電場的強度與距離平方成正比，因此，電場強到一定程度之后，電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了，MOS管廠家也是因為n型負離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個導通層，用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導通。但這種管子一般不生產(chǎn)，在市面基本見不到。所以，大家平時說mos管，就默認是增強型的。

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