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推薦大功率AC-DC同步整流使用的國(guó)產(chǎn)MOS管型號(hào)參數(shù)合集!

文章作者:飛虹電子 瀏覽量:9747 類型:行業(yè)資訊 日期:2022-03-25 10:28:31 分享:
究竟大功率AC-DC同步整流電路中有多少款MOS管是適合使用的呢?畢竟MOS管作為開(kāi)關(guān)電源中的重要組成部分,在電路中承擔(dān)著重要的角色,因此我們?cè)谶x擇大功率AC-DC 電路模塊的MOS管國(guó)產(chǎn)化時(shí),一定要慎之又慎。

不同類型的電路設(shè)計(jì)要使用的MOS管還是有所差異的,因此今天飛虹電子整理了這一份大功率AC-DC同步整流電路可使用的國(guó)產(chǎn)MOS管合集,希望可以給工程師們作為參考使用。

目前國(guó)產(chǎn)MOS管中,可替換多款場(chǎng)效應(yīng)管產(chǎn)品使用的具體型號(hào)為:FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A,以上7款產(chǎn)品都是可以應(yīng)用于大功率AC-DC同步整流電路中的。


如何選擇當(dāng)然是一個(gè)很大的問(wèn)題,具體需要看什么?當(dāng)然是需要詳細(xì)看產(chǎn)品的核心參數(shù),畢竟不看參數(shù)談MOS管使用的都是耍流氓:

1、FHP200N6F3A場(chǎng)效應(yīng)管:

具體產(chǎn)品參數(shù),具有200A、60V的電流、電壓, RDS(on) = 3.5mΩ(max) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100% EAS測(cè)試,100% Rg測(cè)試,100% DVDS測(cè)試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點(diǎn)。

FHP200N6F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):60V。


2、FHP170N1F4A場(chǎng)效應(yīng)管:

具體產(chǎn)品參數(shù),具有172A、100V的電流、電壓, RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100%EAS測(cè)試,100%Rg測(cè)試,100%DVDS熱阻測(cè)試,優(yōu)秀的品質(zhì)因子FOM(RDSON*Qg),一致性高,高可靠性,高雪崩耐量。

FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):172A;BVdss(V):100V。


3、FHP170N8F3A場(chǎng)效應(yīng)管:

最高漏極-源極直流電壓為85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其連續(xù)漏極電流為185A,在TC=25℃(Package Limited)下,其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=100℃下,其連續(xù)漏極電流為117.2A。

最大脈沖漏極電流(IDM ):480(A);靜態(tài)導(dǎo)通電阻(typ):VGS=10V則為2.95mΩ;反向傳輸電容:97pF。


4、FHP110N8F5B場(chǎng)效應(yīng)管:

其產(chǎn)品參數(shù):具有147A電流、85V電壓, RDS(on) = 5.5mΩ(max),最高柵源電壓 @VGS =±20 V,AC-DC同步整流用mos管100% EAS測(cè)試,100% Rg測(cè)試,100% DVDS測(cè)試,極低的FOM(RDSON*Qg),鋰電池用MOS管并擁有極低輸入電容的特點(diǎn)。

FHP110N8F5B的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):147A;BVdss(V):85V。


5、FHP200N4F3A場(chǎng)效應(yīng)管:

具有200A、40V的電流、電壓, RDS(on) = 3.1mΩ(max) ,最高柵源電壓@VGS =±20 V,100% EAS測(cè)試,100% Rg測(cè)試,100% DVDS測(cè)試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點(diǎn)。

FHP200N4F3A的封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):200A;BVdss(V):40V。


6、FHP100N8F6A場(chǎng)效應(yīng)管:

100N8F6A場(chǎng)效應(yīng)管的最高漏極-源極直流電壓為85V,在TC=25℃(Silicon Limited)下,其連續(xù)漏極電流為120A,在TC=25℃(Package Limited)下,其連續(xù)漏極電流為80A,在TC=125℃下,AC-DC同步整流用mos管其連續(xù)漏極電流為56A。

最大脈沖漏極電流(IDM ):320(A);靜態(tài)導(dǎo)通電阻(typ):VGS=10V則為5.3mΩ;反向傳輸電容:18pF。


7、FHP60N1F10A場(chǎng)效應(yīng)管:

FHP60N1F10A具有60A、100V, RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V,具備100% EAS測(cè)試,100% Rg測(cè)試,大功率AC-DC同步整流電路用mos管100% DVDS測(cè)試,極低的FOM(RDSON*Qg),極低的輸入電容的特點(diǎn)。

FHP60N1F10A的主要封裝形式是TO-220。這款產(chǎn)品參數(shù):Vgs(±V):20;VTH(V):2-4;ID(A):60A;BVdss(V):100V。

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依據(jù)上述7款產(chǎn)品的參數(shù)特點(diǎn),結(jié)合我們都知道開(kāi)關(guān)電源芯片就是利用電子開(kāi)關(guān)器件MOS管,通過(guò)控制電路,使電子開(kāi)關(guān)器件不停地“接通”和“關(guān)斷”,讓電子開(kāi)關(guān)器件對(duì)輸入電壓進(jìn)行脈沖調(diào)制的情況。

可知實(shí)際使用中還是需要進(jìn)行測(cè)試才能選擇最優(yōu)解,因此建議大功率AC-DC同步整流電路開(kāi)發(fā)工程師進(jìn)一步試樣。畢竟不同的性能以及需求對(duì)應(yīng)要選擇的MOS管還是會(huì)有差異的,詳細(xì)參數(shù)規(guī)格表可登陸“飛虹電子”網(wǎng)址。

飛虹電子是優(yōu)質(zhì)的MOS管研發(fā)團(tuán)隊(duì),過(guò)程中會(huì)有專業(yè)的產(chǎn)品工程師與廠家共同維護(hù)研發(fā),讓企業(yè)產(chǎn)品能夠得到最優(yōu)的保障。

選擇可替代大功率AC-DC同步整流電路的型號(hào)參數(shù)場(chǎng)效應(yīng)管,飛虹半導(dǎo)體已獲得實(shí)用專利及發(fā)明15項(xiàng),并與中山大學(xué)、中科院合作研發(fā)GaN器件。除提供免費(fèi)試樣外,更可根據(jù)客戶需求進(jìn)行量身定制MOS管產(chǎn)品。直接百度輸入“飛虹電子”即可找到我們,免費(fèi)試樣熱線:400-831-6077。

熱門標(biāo)簽:AC-DC同步整流用mos管

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